応用情報技術者試験 令和4年度 秋期 午前 問22

【正解】エ

フラッシュメモリは、電源を切ってもデータを保持できる不揮発性の半導体メモリです。ただし、既にデータが記録されている領域へ新しい値をそのまま上書きすることはできず、書換えの前に古いデータを電気的に消去する必要があります。代表的なNAND型では、消去はブロック単位、書込みはページ単位で行われます。この「消去してから書き込む」という特徴を述べたエが正解です。

アの書込み回数は無制限であるという説明は誤りです。消去と書込みを繰り返すと、電荷を保持する絶縁膜などが劣化するため、書換え可能回数には上限があります。SSDでは、書込みを分散するウェアレベリングによって寿命を延ばします。

イの基板から外して専用のROMライターで書き込むという説明は誤りです。フラッシュメモリは回路に実装したまま電気的に消去、書込みができます。基板から外し、紫外線でデータを消去してから専用のROMライターで書き込むのは、EPROMの書換え方法です。なお、PROMは一度だけ書き込めるメモリで、書換えはできません。

ウの定期的なリフレッシュが必要という説明は誤りです。これは、コンデンサに蓄えた電荷が漏れる前に再書込みを行うDRAMの特徴です。フラッシュメモリは不揮発性なので、通常のデータ保持にリフレッシュは不要です。

【ポイント】 フラッシュメモリはEEPROMの一種で、電気的に消去、書込みができます。 「不揮発性」「消去してから書込み」「書換え回数に上限」が頻出の特徴です。 NAND型はSSDやUSBメモリなどに広く使われ、消去は主にブロック単位で行います。