応用情報技術者試験 令和5年度 春期 午前 問11

【正解】ア

フラッシュメモリの記憶セルには、消去と書込みを繰り返せる回数に上限があります。同じ物理ブロックだけを集中的に使用すると、そのブロックが早く寿命を迎えてしまいます。ウェアレベリングは、論理アドレスと物理アドレスの対応を調整し、書込み先を分散させることによって、各ブロックの消去・書込み回数をなるべく均等にする技術です。したがって、アが正解です。

イの説明は誤りです。これは、一つのセルを複数の電荷量の状態に分け、2ビット以上の情報を記録する多値記録方式の説明です。代表例には、MLC、TLC、QLCがあります。

ウの説明は誤りです。これは、不良ブロック管理の説明です。製造時又は使用中に発生した不良ブロックを使用対象から外し、予備の正常なブロックへ置き換えます。

エの説明は誤りです。これは、フラッシュメモリがデータをブロック単位で消去するという基本的な動作特性の説明であり、書込み回数を均等化する仕組みではありません。

【ポイント】 フラッシュメモリは、一般にページ単位で書き込み、ブロック単位で消去します。ウェアレベリングは、特定のブロックへの書換え集中を避け、SSDやUSBメモリなどの寿命を延ばすために用いられます。多値記録、不良ブロック管理、ウェアレベリングの違いを整理しておきましょう。