エンベデッドシステムスペシャリスト試験 令和7年度 秋期 午前II 問3

【正解】エ

FeRAMは、強誘電体の分極方向を利用して0と1を記憶する不揮発性メモリです。電源を切っても分極状態が残るので、データを保持できます。電荷を蓄積したり消去したりするフラッシュメモリと比べて、一般に書換え可能回数が多く、書換えも高速です。また、書換え時の消費電力を小さくしやすいため、頻繁にデータを更新する組込み機器などに適しています。したがって、エが正解です。

アの1ビットを4～6個のトランジスタで構成するという説明は誤りです。これは、フリップフロップ状の回路でデータを保持するSRAMのメモリセルに関する説明です。SRAMは高速ですが、電源を切るとデータが失われます。

イのデータ保持にリフレッシュが必要という説明は誤りです。これは、コンデンサに蓄えた電荷で情報を表すDRAMの特徴です。DRAMは電荷が自然に減少するため、定期的な再書込みが必要です。

ウのバイト単位で書換えられず、ブロック単位で一括して書き換えるという説明は誤りです。これは、消去をブロック単位で行うフラッシュメモリの特徴です。

【ポイント】 FeRAMは、強誘電体、非揮発性、高速書換え、高い書換え耐性がキーワードです。 SRAMは高速、DRAMはリフレッシュが必要、フラッシュメモリはブロック単位で消去すると整理します。 メモリの識別問題では、揮発性、書換え単位、速度、耐久性を比較します。